高度稳定和可靠的表面贴装 PAR® 瞬态电压抑制器 (TVS) DO-218AB SM5S
DO-218AB SM5S 的优点：
1. 芯片内部采用国际领先的化学蚀刻法技术加工，不受切削应力带来的负面影响。
2. DO-218AB芯片比竞争对手大，反向浪涌能力强。
3.芯片边缘漏电流低
4. TJ = 175 °C 能力适合高可靠性和汽车要求
5. 低正向压降
6. 符合 ISO7637-2 浪涌规范（因测试条件而异）
7. 符合 MSL 1 级，符合 J-STD-020，LF 最大峰值为 245 °C
芯片生产步骤
1. 机械印刷（极好的-精密自动晶圆印刷）
2. 自动首次蚀刻 （自动蚀刻设备，CPK>1.67）
3. 自动极性测试（Precise Polarity Test）
4. 自动装配（自主研发的自动精密装配）
5. 焊接（氮氢混合保护
真空焊接）
6. 自动二次蚀刻（超纯水自动二次蚀刻）
7. 自动上胶（通过自动精密上胶设备实现均匀上胶和精确计算）
8.自动热测试（由热测试仪自动选择）
9. 自动测试（多功能测试仪）
