超稳定表面贴装 PAR® 瞬态电压抑制器 (TVS) DO-218AB SM8S
DO-218AB SM8S 的优点：
1. 由于采用化学蚀刻法技术，消除了直接切割方式的负面结果。
2. 芯片比同类产品大，反向浪涌能力强。
3. 不同天气和地区故障率极低
4.通过AEC-Q101标准认可
5、二极管功能优化，受益于PN结的科学保护。
主要特点：
VBR：11.1V 至 52.8V
VWM：10V 至 43V
PPPM (10 x 1000 μs)：6600 瓦
PPPM (10 x 10 000 μs)：5200 瓦
功率：8 瓦
IFSM：700 安
TJ 最大值：175 °C
极性：单向
包装：DO-218AB
芯片生产流程
1. 自动打印（超精密自动晶圆印刷）
2. 自动首次蚀刻 （自动蚀刻设备，CPK>1.67）
3. 自动极性测试（Precise Polarity Test）
4. 自动装配（自主研发的自动精密装配）
5. 焊接（氮氢混合保护
真空焊接）
6. 自动二次蚀刻（超纯水自动二次蚀刻）
7. 自动上胶（通过自动精密上胶设备实现均匀上胶和精确计算）
8.自动热测试（由热测试仪自动选择）
9. 自动测试（多功能测试仪）
