高导热性 DPAK (TO-252AA) SiC 二极管

简短的介绍：

封装结构：DPAK (TO-252AA)

简介：YUNYI DPAK（TO-252AA）SiC二极管，采用碳化硅材料制成，导热系数高，传热能力强，更有利于提高功率器件的功率密度，因此更适用于在高温环境下工作。SiC二极管的高击穿场强提高了耐压并减小了尺寸，高电子击穿场强提高了半导体功率器件的击穿电压。同时，由于电子击穿场强的增加，在提高杂质穿透密度的情况下，可以降低SiC二极管功率器件漂移区的带宽，从而使功率器件尺寸减小可以减少。

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云仪DPAK（TO-252AA）碳化硅二极管的优点：

1.具有竞争力的成本和高质量

2.生产效率高，交货期短

3.体积小，有助于优化电路板空间

4、各种自然环境下稳定可靠

5、自主研发低损耗芯片

芯片生产流程：

1. 机械印刷（超精密自动晶圆印刷）

2. 自动首蚀（自动蚀刻设备，CPK>1.67）

3. 自动极性测试（Precise Polarity Test）

4. 自动装配（自主研发的自动精密装配）

5. 焊接（氮氢混合气真空焊接保护）

6、自动二次蚀刻（超纯水自动二次蚀刻）

7、自动涂胶（自动精密涂胶设备实现涂胶均匀、计算精确）

8.自动热测试（热测试仪自动选择）

9. 自动测试（多功能测试仪）

产品参数：

零件号	包裹	VRWM V	IO A	IFZM A	IR μa	V_F V
ZICRD5650	DPAK	650	5	60	60	2
ZICRD6650	DPAK	650	6	60	50	2
Z3D06065E	DPAK	650	6	70	3（典型值为 0.03）	1.7（1.5 典型值）
ZICRD10650CT	DPAK	650	10	60	60	1.7
ZICRD10650	DPAK	650	10	110	100	1.7
ZICRD101200	DPAK	1200	10	110	100	1.8
ZICRD12600	DPAK	600	12	50	150	1.7
ZICRD12650	DPAK	650	12	50	150	1.7
Z3D03065E	DPAK	650	3	46	2（典型值为 0.03）	1.7（1.4 典型值）
Z3D10065E	DPAK	650	10	115	40（典型值为 0.7）	1.7（典型值为 1.45）
Z4D04120E	DPAK	1200	4	46	200(20典型)	1.8（1.5 典型值）
Z4D05120E	DPAK	1200	5	46	200(20典型)	1.8（典型值为 1.65）
Z4D02120E	DPAK	1200	2	44	50(10典型)	1.8（1.5 典型值）
Z4D10120E	DPAK	1200	10	105	200(30典型)	1.8（1.5 典型值）
Z4D08120E	DPAK	1200	8	64	200(35典型)	1.8（1.6典型值）
Z3D10065E2	DPAK	650	10	70（每条腿）	8（0.002 典型值）（每条腿）	1.7（典型值 1.5）（每条腿）