高可靠性和自行设计的 D2PAK (TO-263) SiC 二极管

简短的介绍：

封装结构：D2PAK (TO-263)

简介：云仪D2PAK（TO-263）SiC二极管，采用碳化硅材料制成，导热系数高，可有效提高功率密度。SiC二极管的高击穿场强提高了耐压并减小了尺寸，高电子击穿场强提高了半导体功率器件的击穿电压。同时，由于电子击穿场强的增加，在提高杂质穿透密度的情况下，可以降低SiC二极管功率器件漂移区的带宽，从而使功率器件尺寸减小可以减少。

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云仪D2PAK（TO-263）碳化硅二极管的优势：

1.低电感

2.具有竞争力的成本和高质量。

3.生产效率高，交货期短。

4.体积小，有助于优化电路板空间

芯片制作步骤：

1. 机械印刷（超精密自动晶圆印刷）

2. 自动首蚀（自动蚀刻设备，CPK>1.67）

3. 自动极性测试（Precise Polarity Test）

4. 自动装配（自主研发的自动精密装配）

5. 焊接（氮氢混合气真空焊接保护）

6、自动二次蚀刻（超纯水自动二次蚀刻）

7、自动涂胶（自动精密涂胶设备实现涂胶均匀、计算精确）

8.自动热测试（热测试仪自动选择）

9. 自动测试（多功能测试仪）

产品参数：

零件号	包裹	VRWM V	IO A	IFZM A	IR μa	V_F V
ZICRB5650	D2PAK	650	5	60	60	2
ZICRB6650	D2PAK	650	6	60	50	2
Z3D06065G	D2PAK	650	6	70	3（典型值为 0.03）	1.7（1.5 典型值）
ZICRB10650CT	D2PAK	650	10	60	60	1.7
ZICRB10650	D2PAK	650	10	110	100	1.7
Z3D10065G	D2PAK	650	10	115	40（典型值为 0.7）	1.7（典型值为 1.45）
ZICRB20650A	D2PAK	650	20	70	100	1.7
ZICRB101200	D2PAK	1200	10	110	100	1.8
ZICRB12600	D2PAK	600	12	50	150	1.7
ZICRB12650	D2PAK	650	12	50	150	1.7
Z3D30065G	D2PAK	650	30	255	140(4典型)	1.7（1.4 典型值）
Z4D05120G	D2PAK	1200	5	19	200(20典型)	1.8（典型值为 1.65）
Z4D20120G	D2PAK	1200	20	162	200(35典型)	1.8（1.5 典型值）
Z3D20065G	D2PAK	650	20	170	50（典型值为 1.5）	1.7（典型值为 1.45）
Z3D06065L	DFN8×8	650.0	6.0	70.0	3（典型值为 0.03）	1.7（1.5 典型值）